Resumen
Se describe la preparación por deposición al vacío de estructuras tipo sandwich Cu/CuO/Cu de películas delgadas. El Cu y el CuO fueron evaporados, utilizando el método convencional de calentamiento resistivo, a una presión de 10–6 Torr. La curva característica corriente- voltaje de la estructura Cu/CuO/Cu fue investigada con el objetivo de entender el mecanismo de transporte eléctrico del CuO. Las curvas características densidad de corriente-voltaje muestran la presencia de dos secciones lineales separadas por un salto en los valores de la densidad de corriente. Una histéresis de forma triangular fue medida a varias temperaturas en el rango de 300 a 500 K, para espesores de CuO en el rango de 10 a 30 nm. Se observo que la histéresis de forma triangular depende de la temperatura y del espesor del CuO. La presencia de la histéresis en las curvas características corriente-voltaje fue explicada por medio de las trampas en el CuO. Palabras clave: curva característica densidad de corriente-voltaje; película delgada; estructura