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Registro 1 de 2, Base de información BIBCYT |
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Ciencia
V. 14 Nº 3
Jul.y - September 2006
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Información de existencia
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Palabras Claves:
MAGNETORESISTENCIA,
NUEVOS MATERIALES,
SEMICONDUCTORES |
Resumen
RESUMEN
RESUMEN
En
este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia Dr/r0 del
compuesto ternario Cu2GeSe3 tipo-p en función de campo
magnético, de 2 a
16 kG, y
en un rango de temperaturas de 80
a 300 K. Del ajuste de la magnetoresistencia se obtienen
los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observándose una
clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano
a la unidad.
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Registro 2 de 2, Base de información BIBCYT |
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Ciencia
V. 14 Nº 3
Jul.y - September 2006
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Información de existencia
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Palabras Claves:
NUEVOS MATERIALES,
PROPIEDADES ELÉCTRICAS Y ÓPTICAS,
SEMICONDUCTORES |
Resumen
RESUMEN
En
este trabajo presentamos el estudio de la resistividad eléctrica, el
coeficiente de Hall y la magnetorresistencia en función de temperatura para el Cu2GeTe3 tipo-p, en el rango de temperaturas
desde 80 hasta 300 K y bajo un campo
magnético de 15 kG. Del
análisis de estos efectos se determinó que este compuesto presenta una
conducción metálica. Una brecha de energía indirecta Eg
= 0,30 eV ha sido obtenida de la medida de la
absorbancia óptica a temperatura ambiente.
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