RESUMEN

En este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia Dr/r₀ del compuesto ternario Cu₂GeSe₃ tipo-p en función de campo magnético, de 2 a 16 kG, y en un rango de temperaturas de 80 a 300 K. Del ajuste de la magnetoresistencia se obtienen los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observándose una clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano a la unidad.

RESUMEN

En este trabajo presentamos el estudio de la resistividad eléctrica, el coeficiente de Hall y la magnetorresistencia en función de temperatura para el Cu₂GeTe₃  tipo-p, en el rango de temperaturas desde 80  hasta 300 K y bajo un campo magnético de 15 kG. Del análisis de estos efectos se determinó que este compuesto presenta una conducción metálica. Una brecha de energía indirecta E_g = 0,30 eV ha sido obtenida de la medida de la absorbancia óptica a temperatura ambiente.