RESUMEN

Se han crecido películas delgadas de CuIn₃Se₅ utilizando la técnica de evaporación Flash con temperaturas de sustrato de 200, 300 y 400 °C. Los estudios de perfilometría mostraron espesores uniformes cuyos valores se encuentran alrededor de 1000 Å. A través de los estudios de Espectroscopia de energía dispersiva de Rayos X se determinó la estequiometría de las películas. El análisis de los resultados de los patrones de difracción de rayos X, de los espectros de absorción óptica y de las medidas de resistividad eléctrica muestran la presencia del compuesto CuIn₃Se₅ y de otras fases secundarias. Los candidatos más probables para las fases secundarias son compuestos binarios de In-Se.    

La estructura cristalina del sistema de aleaciones Cu (In_1-X Ga_X)₅S₈  (0< X < 1), preparadas por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos, ha sido establecida por difracción de rayos X en polvo. Se encontró la presencia de una fase tetragonal a temperatura ambiente en el rango de composición 0.4< X <1.0. Se explica la razón de la existencia de las estructuras tetragonal y hexagonal reportadas.