Resumen
RESUMEN
Se han crecido películas delgadas de CuIn3Se5 utilizando la técnica de evaporación Flash con temperaturas de sustrato de 200, 300 y 400 °C. Los estudios de perfilometría mostraron espesores uniformes cuyos valores se encuentran alrededor de 1000 Å. A través de los estudios de Espectroscopia de energía dispersiva de Rayos X se determinó la estequiometría de las películas. El análisis de los resultados de los patrones de difracción de rayos X, de los espectros de absorción óptica y de las medidas de resistividad eléctrica muestran la presencia del compuesto CuIn3Se5 y de otras fases secundarias. Los candidatos más probables para las fases secundarias son compuestos binarios de In-Se.
Se presentan resultados preliminares de medidas de Resonancia Paramagnética Electrónica (RPE) en el Compuesto Semiconductor Semimagnético Diluido (DMS) MnIn2-2xGa2xS4. Usando la expresión de Silva et. al. (4, 5) se estudia el comportamiento del ancho de línea AH pp en función de la temperatura, desde temperatura 4,2 K hasta temperatura ambiente. Se obtiene el parámetro j el cual tiene que ver con el tipo de transición presente en el sistema.
